Référence fabricant
CY7C1525KV18-250BZXI
CY7C1525KV18: 72 Mb (8M x 9) 250MHz QDR® II SRAM Two-Word Burst Architecture
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: |
Product Variant Information section
Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :136 par Bulk Style d'emballage :FBGA-165 Méthode de montage :Surface Mount |
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| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Infineon CY7C1525KV18-250BZXI - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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N/A
Code HTS:
N/A
ECCN:
3A991.b.2.a
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Informations PCN:
Statut du produit:
Actif
Actif
Infineon CY7C1525KV18-250BZXI - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Memory Density: | 72Mb |
| Memory Organization: | 8M x 9 |
| Supply Voltage-Nom: | 1.7V to 1.9V |
| Temperature Grade: | Industrial |
| Speed: | 250MHz |
| Number of Words: | 8M |
| Word Length: | 9b |
| Supply Current: | 640mA |
| Interface Type: | Parallel |
| Operating Temp Range: | -40°C to +85°C |
| Storage Temperature Range: | -65°C to +150°C |
| Moisture Sensitivity Level: | 3 |
| Style d'emballage : | FBGA-165 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
26 Semaines
Quantité
Prix unitaire
272+
$114.36
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
136 par Bulk
Style d'emballage :
FBGA-165
Méthode de montage :
Surface Mount