Les commandes expédiées à l’extérieur des États-Unis seront en attente pendant que l’entreprise évalue les impacts tarifaires.Veuillez contacter votre vendeur pour obtenir de l’aide.
Livraison gratuite aux États-Unis continentaux à partir de 50 $ US. Des conditions s'appliquent
Référence fabricant
IR2181STRPBF
IR2181 Series 600 V 1.9 A 20 V Supply Dual High And Low Side Driver - SOIC-8
| | |||||||||||
| | |||||||||||
| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :2500 par Reel Style d'emballage :SOIC-8N Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Infineon IR2181STRPBF - Spécifications du produit
Informations de livraison:
L'article ne peut être envoyé à certains pays. Voir la liste
L'article ne peut pas être envoyé aux pays suivants:
ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IR2181STRPBF&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/de/p/semiconductors--analog--drivers--mosfet-igbt-drivers/ir2181strpbf-infineon-3925229
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IR2181STRPBF&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/de/p/semiconductors--analog--drivers--mosfet-igbt-drivers/ir2181strpbf-infineon-3925229
Infineon IR2181STRPBF - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Configuration: | High and Low Side |
| No of Outputs: | Dual |
| Peak Output Current: | 2.3A |
| Supply Voltage-Max: | 20V |
| Rated Power Dissipation: | 0.625W |
| Quiescent Current: | 120µA |
| Turn-off Delay Time: | 220ns |
| Turn-on Delay Time: | 180ns |
| Rise Time: | 40ns |
| Fall Time: | 20ns |
| Operating Temp Range: | -40°C to +125°C |
| Style d'emballage : | SOIC-8N |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Fonctionnalités et applications
The IR2181STRPBF is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver with independent high and low side refereneced output channels. Available in surface mount SOIC-8 package.
Features:
- Floating channel designed for bootstrap operation
- Fully operational to +600V
- Tolerant to negative transient voltage dV/dt immune
- Gate drive supply range from 10 to 20V
- Undervoltage lockout for both channels
- 3.3V and 5V input logic compatible
- Matched propagation delay for both channels
- Logic and power ground +/- 5V offset.
- Lower di/dt gate driver for better noise immunity
- Output source/sink current capability 1.4A/1.8A
- Also available LEAD-FREE (PbF)
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
20 Semaines
Quantité
Prix unitaire
2 500+
$1.02
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
2500 par Reel
Style d'emballage :
SOIC-8N
Méthode de montage :
Surface Mount