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Référence fabricant
IGOT65R035D2AUMA1
GaNFET, 650V, 44A, 42MOHM, N-CH, PG-DSO-20
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :800 par Reel Style d'emballage :DSO-20 Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2512 | ||||||||||
Product Specification Section
Infineon IGOT65R035D2AUMA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IGOT65R035D2AUMA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/de/p/semiconductors--discretes--transistors--gallium-nitride-mosfets-gan-mosfets/igot65r035d2auma1-infineon-2198444
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Infineon IGOT65R035D2AUMA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Product Status: | Active |
| Technology: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain Current: | 44A |
| No of Channels: | 1 |
| Qg Gate Charge: | 7.7nC |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 650V |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 10V |
| Input Capacitance: | 540pF |
| Rated Power Dissipation: | 134W |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Style d'emballage : | DSO-20 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
800
États-Unis:
800
Sur commande :
0
Délai d'usine :
18 Semaines
Quantité
Prix unitaire
800+
$5.11
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
800 par Reel
Style d'emballage :
DSO-20
Méthode de montage :
Surface Mount