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Référence fabricant
FF650R17IE4DB2BOSA1
PrimePACK™2 Series 1700 V 650 A 4150 W Chassis Mount NTC IGBT Module
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :3 par Tray Style d'emballage :Module Méthode de montage :Chassis Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Infineon FF650R17IE4DB2BOSA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=FF650R17IE4DB2BOSA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/de/p/semiconductors--discretes--transistors--igbts/ff650r17ie4db2bosa1-infineon-4090293
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Infineon FF650R17IE4DB2BOSA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| CE Voltage-Max: | 1700V |
| Collector Current @ 25C: | 930A |
| Power Dissipation-Tot: | 4150W |
| Gate - Emitter Voltage: | 20V |
| Pulsed Collector Current: | 1300A |
| Collector - Emitter Saturation Voltage: | 2V |
| Turn-on Delay Time: | 0.58µs |
| Turn-off Delay Time: | 1µs |
| Qg Gate Charge: | 7000nC |
| Leakage Current: | 400nA |
| Input Capacitance: | 54nF |
| Operating Temp Range: | -40°C to +150°C |
| No of Terminals: | 10 |
| Style d'emballage : | Module |
| Méthode de montage : | Chassis Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
14 Semaines
Quantité
Prix unitaire
3
$517.06
6+
$504.60
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
3 par Tray
Style d'emballage :
Module
Méthode de montage :
Chassis Mount