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Référence fabricant
IPB60R099CPATMA1
Single N-Channel 650 V 99 mOhm 60 nC CoolMOS™ Power Mosfet - D2PAK
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :1000 par Reel Style d'emballage :TO-263-3 (D2PAK) Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2528 | ||||||||||
Product Specification Section
Infineon IPB60R099CPATMA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IPB60R099CPATMA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/de/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/ipb60r099cpatma1-infineon-5194999
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IPB60R099CPATMA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/de/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/ipb60r099cpatma1-infineon-5194999
Infineon IPB60R099CPATMA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 650V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 99mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 255|W |
| Qg Gate Charge: | 60nC |
| Style d'emballage : | TO-263-3 (D2PAK) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
1 000
États-Unis:
1 000
Délai d'usine :
15 Semaines
Quantité
Prix unitaire
1 000
$3.56
2 000+
$3.51
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
1000 par Reel
Style d'emballage :
TO-263-3 (D2PAK)
Méthode de montage :
Surface Mount