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Référence fabricant
NVTFS5116PLTWG
P-Channel 60 V 52 mOhm 3.2 W Surface Mount Power Mosfet - WDFN-8
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :5000 par Reel Style d'emballage :WDFN-8 Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
onsemi NVTFS5116PLTWG - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=NVTFS5116PLTWG&field4=onsemi&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/de/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/nvtfs5116pltwg-onsemi-4020659
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onsemi NVTFS5116PLTWG - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | P-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 60V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 52mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 3.2|W |
| Qg Gate Charge: | 25nC |
| Style d'emballage : | WDFN-8 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
18 Semaines
Quantité
Prix unitaire
5 000
$0.485
10 000
$0.48
15 000+
$0.475
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
5000 par Reel
Style d'emballage :
WDFN-8
Méthode de montage :
Surface Mount