Référence fabricant
IMZA65R057M1HXKSA1
IMZA Series N-Channel 650 V 35A 133W TH Silicon Carbide MOSFET TO-247-4
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :30 par Tube Style d'emballage :TO-247-4 Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | 2227 | ||||||||||
Product Specification Section
Infineon IMZA65R057M1HXKSA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
Fichier
Date
Specification Change
09/09/2024 Détails et téléchargement
Subject CoolSiCTM 650V G1 SiC datasheets revision updatesReason: (1) Naming and nomenclature update according to IEC 60747-8 Amd.1 Ed.3.03 from 2020(2) Update Tj,max from 150°C to 175°C for the following products:IMW65R027M1H, IMW65R048M1H,IMW65R072M1H,IMW65R107M1H,IMZA65R027M1H, IMZA65R048M1H,IMZA65R072M1H and IMZA65R107M1H(3) Extend the VGS(static) and VGS(dynamic) specs of products reported in Table 1 in TO247-3pin and TO247-4pin package.(4) Datasheet template harmonization with respect to CoolSiCTM MOSFET 650V G2
Statut du produit:
Actif
Actif
Infineon IMZA65R057M1HXKSA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Technology: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Product Status: | Active |
| Fet Type: | N-Ch |
| No. of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 650V |
| Drain Current: | 35A |
| Input Capacitance: | 930pF |
| Power Dissipation: | 133W |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| Style d'emballage : | TO-247-4 |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
240
États-Unis:
240
Sur commande :
0
Délai d'usine :
26 Semaines
Quantité
Prix unitaire
30
$4.03
90
$3.98
150
$3.95
450
$3.89
750+
$3.84
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
30 par Tube
Style d'emballage :
TO-247-4
Méthode de montage :
Through Hole