IC de pilote de porte à canal unique Infineon 1ED301xMC12I
Pilotes de grille d’isolation renforcée à grande vitesse pour la commutation de courant haute tension
La famille Infineon IED301x EiceDRIVER™ se compose de circuits intégrés pilotes isolés à canal unique conçus pour des systèmes de conversion de puissance haute tension nécessitant une commutation rapide, une forte immunité au bruit et une conception compacte. Conçues comme des remplacements compatibles opto, ces pilotes utilisent la technologie d’isolation des transformateurs sans cœur d’Infineon pour offrir une isolation renforcée tout en éliminant les limitations de vieillissement et de performance associées aux optocoupleurs.
Tous les dispositifs de la famille IED301x supportent des tensions de décalage fonctionnelles allant jusqu’à 2300 V et offrent une forte capacité d’entraînement de porte avec un dissipateur de 6,5 A et un courant de sortie source de crête de 6 A. Le meilleur délai de propagation de sa catégorie de 40 ns, un faible décalage partie-pièce et une immunité transitoire en mode commun extrêmement élevée (CMTI > 300 kV/μs) permettent une commutation précise et fiable dans des environnements exigeants.
Présentée dans un boîtier compact à fuselage large LDSO avec un creepage de 8 mm et une cote CTI 600, la famille IED301x est compatible broche à broche avec les pilotes de portails opto-basés déjà sur le marché. Les variantes sont optimisées pour les MOSFET en silicium, IGBT ou SIC grâce à des seuils de verrouillage de sous-tension spécifiques à l’appareil (UVLO), permettant aux concepteurs de choisir le meilleur ajustement pour leur topologie de puissance sans redessiner le circuit imprimé.
Dispositifs en vedette
Le 1ED3010MC12I est un pilote de porte isolé à canal unique de 2300 V, optimisé pour les applications MOSFET en silicium. Il offre une isolation renforcée, des performances de commutation rapides et des seuils UVLO adaptés aux conceptions à base de Si, ce qui le rend idéal pour les systèmes industriels et énergétiques à haute tension.
Le 1ED3011MC12I cible les étages de puissance basés sur IGBT, offrant une isolation renforcée jusqu’à 5,7 kV (rms) et des niveaux UVLO optimisés pour les exigences de portes IGBT. Son entrée opto-émulateur et sa puissance élevée du disque permettre un fonctionnement efficace et fiable dans les systèmes de conversion à haute puissance.
Conçu pour les dispositifs de puissance à large bande passante, le 1ED3012MC12I prend en charge la commutation SIC MOSFET avec des seuils UVLO plus élevés pour répondre aux exigences du moteur de porte SiC. Son CMTI élevé et son retard de propagation rapide le rendent bien adapté à la haute vitesse, conceptions de puissance à haute efficacité.
Caractéristiques et avantages
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Applications
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