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onsemi | FDMC8462

Référence fabricant

FDMC8462

PQFN 3.3X3.3,40V,20A,7.1M OHM,NCH POWER TRENCH MOSFET

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: onsemi
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
onsemi FDMC8462 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 40V
Drain-Source On Resistance-Max: 5.8mΩ
Rated Power Dissipation: 2|W
Qg Gate Charge: 30nC
Style d'emballage :  POWER 33-8
Méthode de montage : Surface Mount
Fonctionnalités et applications

The FDMC8462 is a 40 V N-Channel MOSFET is produced advanced Power Trench®process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance

Features:

  • Max rDS(on) = 5.8 mO at VGS = 10 V, ID = 13.5 A
  • Max rDS(on) = 8.0 mO at VGS = 4.5 V, ID = 11.8 A
  • Low Profile - 1mm max in Power 33
  • 100% UIL Tested
  • RoHS Compliant

Applications:

  • Automation
  • Consumer Appliances
  • Building & Home Control
  • Medical Electronics/Devices
  • Military & Civil Aerospace

View the complete family of N-channel mosfets

Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
38 Semaines
Commande minimale :
3000
Multiples de :
3000
Total 
1 560,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
3 000
$0.52
6 000
$0.51
12 000
$0.505
15 000+
$0.50
Product Variant Information section