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Référence fabricant

BST82,215

BST82 Series 100 V 10 Ohm 0.83 W N-Channel Silicon Surface Mount MOSFET - SOT-23

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Nexperia
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 2435
Product Specification Section
Nexperia BST82,215 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 100V
Drain-Source On Resistance-Max: 10Ω
Rated Power Dissipation: 0.83W
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 20V
Drain Current: 190mA
Turn-on Delay Time: 10ns
Turn-off Delay Time: 15ns
Operating Temp Range: -55°C to +150°C
Gate Source Threshold: 2V
Technology: Si
Height - Max: 1.1mm
Length: 3mm
Input Capacitance: 25pF
Style d'emballage :  SOT-23 (SC-59,TO-236)
Méthode de montage : Surface Mount
Fonctionnalités et applications

The BST82 is a Intermediate level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology.

This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.

Features:

  • Saves PCB space due to small footprint
  • Suitable for high frequency applications due to fast switching characteristics
  • Suitable for logic level gate drive sources

Applications:

  • High-speed line drivers
  • Logic level translators
  • Relay drivers

View the BST series family of MOSFET

Pricing Section
Stock global :
24 000
États-Unis:
24 000
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
N/A
Commande minimale :
3000
Multiples de :
3000
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
459,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
3 000
$0.153
6 000
$0.151
9 000
$0.15
12 000+
$0.149
Product Variant Information section