Référence fabricant
DMG4413LSS-13
DMG4413LSS Series 30 V 10.5 A P-Channel Enhancement Mode Mosfet - SO-8
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| Nom du fabricant: | Diodes Incorporated | ||||||||||
| Emballage standard: |
Product Variant Information section
Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :2500 par Reel Style d'emballage :SOIC-8 Méthode de montage :Surface Mount |
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| Code de date: | 2330 | ||||||||||
Product Specification Section
Diodes Incorporated DMG4413LSS-13 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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Chine continentale
Code HTS:
8541.29.00.55
ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
Diodes Incorporated DMG4413LSS-13 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | P-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 30V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 7.5mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 1.7|W |
| Qg Gate Charge: | 46nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 12A |
| Turn-on Delay Time: | 15ns |
| Turn-off Delay Time: | 160ns |
| Rise Time: | 9ns |
| Fall Time: | 66ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 1.6V |
| Height - Max: | 1.5mm |
| Length: | 4.95mm |
| Style d'emballage : | SOIC-8 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
40 000
États-Unis:
40 000
Sur commande :
0
Délai d'usine :
24 Semaines
Quantité
Prix unitaire
2 500
$0.31
5 000+
$0.305
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
2500 par Reel
Style d'emballage :
SOIC-8
Méthode de montage :
Surface Mount