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Référence fabricant
DMG6402LVT-7
Single N-Channel 30 V 42 mOhm 11.4 nC 1.75 W Silicon SMT Mosfet - TSOT-26
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| Nom du fabricant: | Diodes Incorporated | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :3000 par Reel Style d'emballage :TSOT-26 Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Diodes Incorporated DMG6402LVT-7 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=DMG6402LVT-7&field4=Diodes Incorporated&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/dmg6402lvt-7-diodes-incorporated-9050065
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Diodes Incorporated DMG6402LVT-7 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 30V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 42mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 1.75W |
| Qg Gate Charge: | 11.4nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 6A |
| Turn-on Delay Time: | 3.4ns |
| Turn-off Delay Time: | 13.9ns |
| Rise Time: | 6.2ns |
| Fall Time: | 2.8ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 2V |
| Technology: | Si |
| Height - Max: | 1mm |
| Length: | 2.9mm |
| Input Capacitance: | 498pF |
| Style d'emballage : | TSOT-26 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
24 Semaines
Quantité
Prix unitaire
3 000
$0.0721
9 000
$0.0704
15 000
$0.0696
45 000
$0.0679
75 000+
$0.0664
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
3000 par Reel
Style d'emballage :
TSOT-26
Méthode de montage :
Surface Mount