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Référence fabricant
DMTH6016LFDFWQ-7
DMTH6016LFDFWQ : N-Channel 60 V 9.4 A SMT Enhancement Mode Mosfet -U-DFN2020-6
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| Nom du fabricant: | Diodes Incorporated | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :3000 par Reel Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Diodes Incorporated DMTH6016LFDFWQ-7 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
ECCN:
Informations PCN:
Statut du produit:
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=DMTH6016LFDFWQ-7&field4=Diodes Incorporated&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/dmth6016lfdfwq-7-diodes-incorporated-8119228
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Diodes Incorporated DMTH6016LFDFWQ-7 - Caractéristiques techniques
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 60V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 18mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 1.06W |
| Qg Gate Charge: | 15.3nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 9.4A |
| Turn-on Delay Time: | 3.2ns |
| Turn-off Delay Time: | 14.5ns |
| Rise Time: | 4.2ns |
| Fall Time: | 7.2ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| Gate Source Threshold: | 3V |
| Input Capacitance: | 925pF |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Fonctionnalités et applications
Diodes Incorporated has introduced new 40V-rated DMTH4008LFDFWQ and 60V-rated DMTH6016LFDFWQ automotive-compliant MOSFETs housed in a miniature DFN2020 package.
APPLICATIONS
• Power-management systems
• DC-DC converters
• LED backlights
• ADAS
FEATURES
• AEC-Q101 qualified
• PPAP support
• 0.6mm profile
• 3V maximum threshold voltage
• 100% unclamped inductive switching
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
3000 par Reel
Méthode de montage :
Surface Mount