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Référence fabricant
FDN352AP
FDN352AP Series 30 V 1.3 A 180 mOhm Single P-Ch. PowerTrench® MOSFET-SSOT-3
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :3000 par Reel Style d'emballage :SSOT-3 Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2450 | ||||||||||
onsemi FDN352AP - Spécifications du produit
Informations de livraison:
ECCN:
Informations PCN:
Statut du produit:
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=FDN352AP&field4=onsemi&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/fdn352ap-onsemi-1360940
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onsemi FDN352AP - Caractéristiques techniques
| Fet Type: | P-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 30V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 180mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 0.5|W |
| Style d'emballage : | SSOT-3 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Fonctionnalités et applications
The FDN352AP is a 30 V 180 mO single P-Channel Logic Level MOSFET is produced using advanced Power Trench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance
Features:
- -2 A, -20 V. RDS(ON) = 0.08 O @ VGS = -4.5 V, RDS(ON) = 0.13 O @ VGS = -2.5 V.
- Extended VGSS range (±12 V) for battery applications.
- High performance trench technology for extremely low RDS(ON).
- Enhanced power SuperSOT™-3 (SOT-23).
Applications:
- Notebook computer
- Power managment
- Voltage and battery powered applications
View the complete family of P-channel mosfets
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
3000 par Reel
Style d'emballage :
SSOT-3
Méthode de montage :
Surface Mount