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onsemi | HUF75545P3

Référence fabricant

HUF75545P3

N-Channel 80 V 0.01 Ohm Flange Mount UltraFET Power Mosfet - TO-220AB

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: onsemi
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 2419
Product Specification Section
onsemi HUF75545P3 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 80V
Drain-Source On Resistance-Max: 0.01Ω
Rated Power Dissipation: 270|W
Qg Gate Charge: 235nC
Style d'emballage :  TO-220-3 (TO-220AB)
Méthode de montage : Flange Mount
Fonctionnalités et applications

The HUF75545P3 is a N-Channel 80 V 0.01 Ohm UltraFET Power Mosfet.

Features:

  • Ultra Low On-Resistance
  • rDS(ON) = 0.010 O, VGS = 10 V
  • Simulation Models
  • Temperature Compensated PSPICE® and SABERTMElectrical Models
  • Spice and SABER Thermal Impedance Models
  • Peak Current vs Pulse Width Curve
  • UIS Rating Curve

Applications:

  • TBA

View the complete HUF75545 series of Mosfets

Pricing Section
Stock global :
820
États-Unis:
820
Sur commande :Order inventroy details
800
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
20 Semaines
Commande minimale :
10
Multiples de :
1
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
23,60 $
USD
Quantité
Prix unitaire
10
$2.36
40
$2.33
150
$2.29
400
$2.27
1 500+
$2.20
Product Variant Information section