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Référence fabricant
IPP65R045C7XKSA1
N-Channel 650 V 45 mOhm CoolMOSTM C7 Power Transistor-PG-TO-220-3
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :50 par Tube Style d'emballage :TO-220-3 (TO-220AB) Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | 2415 | ||||||||||
Product Specification Section
Infineon IPP65R045C7XKSA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IPP65R045C7XKSA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/ipp65r045c7xksa1-infineon-8183545
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IPP65R045C7XKSA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/ipp65r045c7xksa1-infineon-8183545
Infineon IPP65R045C7XKSA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 650V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 45mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 227|W |
| Qg Gate Charge: | 93nC |
| Style d'emballage : | TO-220-3 (TO-220AB) |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
2 500
États-Unis:
2 500
Délai d'usine :
17 Semaines
Quantité
Prix unitaire
50
$5.86
1 000+
$5.82
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
50 par Tube
Style d'emballage :
TO-220-3 (TO-220AB)
Méthode de montage :
Through Hole