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Référence fabricant
IRLR6225TRPBF
Single N-Channel 20 V 4 mOhm 48 nC HEXFET® Power Mosfet - SOT-23
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :2000 par Style d'emballage :TO-252-3 (DPAK) Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 1643 | ||||||||||
Product Specification Section
Infineon IRLR6225TRPBF - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
Statut du produit:
Obsolète
Obsolète
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IRLR6225TRPBF&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/irlr6225trpbf-infineon-3099175
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Infineon IRLR6225TRPBF - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 20V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 4mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 63W |
| Qg Gate Charge: | 48nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 12V |
| Drain Current: | 100A |
| Turn-on Delay Time: | 9.7ns |
| Turn-off Delay Time: | 63ns |
| Rise Time: | 37ns |
| Fall Time: | 52ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 0.8V |
| Input Capacitance: | 3770pF |
| Style d'emballage : | TO-252-3 (DPAK) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
50
États-Unis:
50
Sur commande :
0
Délai d'usine :
N/A
Quantité
Prix unitaire
1
$0.955
15
$0.845
50
$0.80
250
$0.735
1 000+
$0.675
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
2000 par
Style d'emballage :
TO-252-3 (DPAK)
Méthode de montage :
Surface Mount