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Référence fabricant

IXFT20N100P

Single N-Channel 1000 V 570 mOhm 360 W Power Mosfet - TO-268

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Littelfuse - IXYS
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
Littelfuse - IXYS IXFT20N100P - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 1000V
Drain-Source On Resistance-Max: 570mΩ
Rated Power Dissipation: 660|W
Qg Gate Charge: 126nC
Style d'emballage :  TO-268 (D3PAK)
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
37 Semaines
Commande minimale :
300
Multiples de :
30
Total 
2 913,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
30
$9.82
90
$9.75
150
$9.71
450
$9.64
750+
$9.58
Product Variant Information section