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Référence fabricant

NTGD4167CT1G

Dual Channel N & P 30 V 90 mOhm 900 mW Surface Mount Power Mosfet - TSOP-6

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: onsemi
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 2407
Product Specification Section
onsemi NTGD4167CT1G - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: Dual N/P-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 30V/-30V
Drain-Source On Resistance-Max: 90mΩ/170mΩ
Rated Power Dissipation: 900|mW
Qg Gate Charge: 3.5nC/3.9nC
Style d'emballage :  SC-74 (TSOP-6)
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
18 Semaines
Commande minimale :
6000
Multiples de :
3000
Total 
1 104,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
3 000
$0.186
6 000
$0.184
12 000
$0.181
45 000+
$0.177
Product Variant Information section