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Référence fabricant
NVMFWS1D9N08XT1G
MOSFET Single N-Channel Power MOSFET 80V, 201 A, 1.9 mohm
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :1500 par Reel Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2443 | ||||||||||
Product Specification Section
onsemi NVMFWS1D9N08XT1G - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=NVMFWS1D9N08XT1G&field4=onsemi&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/nvmfws1d9n08xt1g-onsemi-3187103
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onsemi NVMFWS1D9N08XT1G - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Product Status: | Active |
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 80V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 1.9mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 164W |
| Qg Gate Charge: | 63nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 201A |
| Turn-on Delay Time: | 28ns |
| Turn-off Delay Time: | 43ns |
| Rise Time: | 12ns |
| Fall Time: | 7ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| Gate Source Threshold: | 3.6V |
| Input Capacitance: | 4470pF |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
23 Semaines
Quantité
Prix unitaire
1 500
$1.44
3 000
$1.43
6 000+
$1.42
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
1500 par Reel
Méthode de montage :
Surface Mount