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Référence fabricant
PMT560ENEAX
PMT560ENEA Series 100 V 1.1 A Surface Mount N-Channel Trench MOSFET - SOT-223
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| Nom du fabricant: | Nexperia | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :1000 par Reel Style d'emballage :SOT-223 (TO-261-4) Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Nexperia PMT560ENEAX - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=PMT560ENEAX&field4=Nexperia&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/pmt560eneax-nexperia-8110621
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Nexperia PMT560ENEAX - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 100V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 715mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 750mW |
| Qg Gate Charge: | 2.9nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 1.1A |
| Turn-on Delay Time: | 6ns |
| Turn-off Delay Time: | 10ns |
| Rise Time: | 8ns |
| Fall Time: | 5ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Technology: | TrenchMOS |
| Input Capacitance: | 112pF |
| Style d'emballage : | SOT-223 (TO-261-4) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Délai d'usine :
N/A
Quantité
Prix unitaire
1 000
$0.24
5 000
$0.235
15 000
$0.23
25 000+
$0.225
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
1000 par Reel
Style d'emballage :
SOT-223 (TO-261-4)
Méthode de montage :
Surface Mount