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Référence fabricant
SPP21N50C3XKSA1
Single N-Channel 500 V 190 mOhm 95 nC CoolMOS™ Power Mosfet - TO-220-3
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :50 par Tube Style d'emballage :TO-220-3 (TO-220AB) Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Infineon SPP21N50C3XKSA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
Statut du produit:
Obsolète
Obsolète
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=SPP21N50C3XKSA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/spp21n50c3xksa1-infineon-2081047
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Infineon SPP21N50C3XKSA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 500V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 0.19Ω |
| Rated Power Dissipation: | 208W |
| Qg Gate Charge: | 95nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 21A |
| Turn-on Delay Time: | 10ns |
| Turn-off Delay Time: | 67ns |
| Rise Time: | 5ns |
| Fall Time: | 4.5ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 3V |
| Technology: | CoolMOS |
| Input Capacitance: | 2400pF |
| Style d'emballage : | TO-220-3 (TO-220AB) |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
8 Semaines
Quantité
Prix unitaire
500
$1.75
1 000
$1.74
1 500
$1.73
2 000
$1.72
2 500+
$1.71
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
50 par Tube
Style d'emballage :
TO-220-3 (TO-220AB)
Méthode de montage :
Through Hole