Référence fabricant
STP55NF06
N-Channel 60 V 18 mOhm STripFET™ II Power MosFet - TO-220
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| Nom du fabricant: | STMicroelectronics | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :50 par Tube Style d'emballage :TO-220-3 (TO-220AB) | ||||||||||
| Code de date: | 2219 | ||||||||||
Product Specification Section
STMicroelectronics STP55NF06 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
STMicroelectronics STP55NF06 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 60V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 18mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 110|W |
| Qg Gate Charge: | 44.5nC |
| Style d'emballage : | TO-220-3 (TO-220AB) |
Fonctionnalités et applications
The STP55NF06 is a Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronis unique "Single Feature Size™" strip-based process.
The resulting transistor shows extremely high packing density for low onresistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.
Features:
- 100% avalanche tested
- Exceptional dv/dt capability
Applications:
- Switching application
Pricing Section
Stock global :
1 660
États-Unis:
1 660
Délai d'usine :
13 Semaines
Quantité
Prix unitaire
1
$0.395
125
$0.385
400
$0.375
2 000
$0.365
7 500+
$0.345
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
50 par Tube
Style d'emballage :
TO-220-3 (TO-220AB)