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Référence fabricant
SCT30N120
Single N-Channel 1200 V 270 W 105 nC SiC Through Hole Mosfet - HiP247
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| Nom du fabricant: | STMicroelectronics | ||||||||||
| Emballage standard: |
Product Variant Information section
Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :30 par Tube Style d'emballage :TO-247-3 Méthode de montage :Through Hole |
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| Code de date: | 2439 | ||||||||||
Product Specification Section
STMicroelectronics SCT30N120 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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Italie
Code HTS:
XXXXXXXXXX
ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Obsolète
Obsolète
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https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=SCT30N120&field4=STMicroelectronics&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--silicon-carbide-mosfets-sic-mosfets/sct30n120-stmicroelectronics-9038896
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STMicroelectronics SCT30N120 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Technology: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Product Status: | Active |
| Fet Type: | N-Ch |
| No. of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 1200V |
| Drain Current: | 45A |
| Input Capacitance: | 1700pF |
| Power Dissipation: | 270W |
| Operating Temp Range: | -55°C to +200°C |
| Style d'emballage : | TO-247-3 |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
346
États-Unis:
346
Sur commande :
0
Délai d'usine :
N/A
Quantité
Prix unitaire
2
$14.37
10
$14.21
30
$14.10
125
$13.96
300+
$13.76
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
30 par Tube
Style d'emballage :
TO-247-3
Méthode de montage :
Through Hole