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Référence fabricant
BSM450D12P4G102
2 N-Channel 1200 V 447 A 1.45 kW Half Bridge Chassis Mount SiC Power Module
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| Nom du fabricant: | ROHM | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :4 par Box Style d'emballage :Module Méthode de montage :Chassis Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
ROHM BSM450D12P4G102 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=BSM450D12P4G102&field4=ROHM&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--silicon-carbide-power-modules-sic-power-modules/bsm450d12p4g102-rohm-3180798
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ROHM BSM450D12P4G102 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Technology: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 21V |
| Isolation Voltage-RMS: | 2500V |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 1200V |
| Drain Current: | 447A |
| Configuration: | Half Bridge |
| Operating Temp Range: | -40°C to +150°C |
| Style d'emballage : | Module |
| Méthode de montage : | Chassis Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
27 Semaines
Quantité
Prix unitaire
4
$644.10
8
$636.29
12+
$628.58
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
4 par Box
Style d'emballage :
Module
Méthode de montage :
Chassis Mount