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Infineon | CY7C1512KV18-300BZXC

Référence fabricant

CY7C1512KV18-300BZXC

CY7C1512KV18 72 Mb (4 M x 18) 300 MHz 1.8 V QDR™-II 2-Word Burst SRAM -FBGA-165

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Infineon
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
Infineon CY7C1512KV18-300BZXC - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Memory Density: 72Mb
Memory Organization: 4M x 18
Supply Voltage-Nom: 1.7V to 1.9V
Temperature Grade: Commercial
Speed: 300MHz
Number of Words: 4M
Word Length: 18b
Supply Current: 750mA
Interface Type: Parallel
Operating Temp Range: 0°C to 70°C
Storage Temperature Range: -65°C to +150°C
Moisture Sensitivity Level: 3
Style d'emballage :  FBGA-165
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
14 Semaines
Commande minimale :
272
Multiples de :
136
Total 
33 945,60 $
USD
Quantité
Prix unitaire
136+
$124.80
Product Variant Information section