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onsemi | MJD122T4G

Référence fabricant

MJD122T4G

MJD Series 100 V 8 A NPN Complementary Darlington Power Transistor - TO-252-3

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: onsemi
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 2444
Product Specification Section
onsemi MJD122T4G - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Polarity: NPN
Type: Darlington
CE Voltage-Max: 100V
Collector Current Max: 8A
Power Dissipation-Tot: 1.75W
DC Current Gain-Min: 1000
Style d'emballage :  TO-252-3 (DPAK)
Méthode de montage : Tab Mount
Fonctionnalités et applications
The Darlington Bipolar Power Transistor is designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. The MJD122 (NPN) and MJD127 (PNP) are complementary devices.

Features:

  • Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No Suffix)
  • Straight Lead Version in Plastic Sleeves ("-1" Suffix)
  • Lead Formed Version Available in 16 mm Tape and Reel ("T4" Suffix)
  • Surface Mount Replacements for 2N6040-2N6045 Series, TIP120-TIP122 Series, and TIP125-TIP127 Series
  • Monolithic Construction With Built-in Base-Emitter Shunt Resistors
  • High DC Current Gain hFE = 2500 (Typ) @ IC = 4.0 Adc
  • Complementary Pairs Simplifies Designs
  • Pb-Free Packages are Available

Learn more about the MJD12 family of Transistors

Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
28 Semaines
Commande minimale :
5000
Multiples de :
2500
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
1 475,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
2 500
$0.305
5 000+
$0.295
Product Variant Information section
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