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Référence fabricant
IRLHS2242TRPBF
Single P-Channel 20 V 53 mOhm 12 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 2 x 2 mm
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :4000 par Reel Style d'emballage :PQFN 2 x 2 mm Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2309 | ||||||||||
Product Specification Section
Infineon IRLHS2242TRPBF - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
Statut du produit:
Obsolète
Obsolète
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IRLHS2242TRPBF&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/it/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/irlhs2242trpbf-infineon-6174105
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Infineon IRLHS2242TRPBF - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | P-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | -20V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 53mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 2.1W |
| Qg Gate Charge: | 12nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 12V |
| Drain Current: | -7.2A |
| Turn-on Delay Time: | 7.9ns |
| Turn-off Delay Time: | 54ns |
| Rise Time: | 54ns |
| Fall Time: | 66ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | -1.1V |
| Technology: | Si |
| Height - Max: | 1mm |
| Length: | 2.1mm |
| Input Capacitance: | 877pF |
| Style d'emballage : | PQFN 2 x 2 mm |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
N/A
Quantité
Prix unitaire
4 000
$0.133
8 000
$0.132
16 000
$0.13
60 000+
$0.127
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
4000 par Reel
Style d'emballage :
PQFN 2 x 2 mm
Méthode de montage :
Surface Mount