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NXP | MRF13750HR5

Référence fabricant

MRF13750HR5

MRF13750H Series 50 V 1300 MHz 750 W CW RF Power LDMOS Transistor - NI-1230H-4S

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: NXP
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
NXP MRF13750HR5 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: RF Fet
No of Channels: 2
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 105V
Rated Power Dissipation: 1333W
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 10V
Operating Temp Range: -40°C to +150°C
Gate Source Threshold: 1.72V
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
-1
Délai d'usine :
N/A
Commande minimale :
50
Multiples de :
50
Total 
12 503,50 $
USD
Quantité
Prix unitaire
1
$262.57
3
$258.24
4
$257.11
10
$253.57
15+
$250.07
Product Variant Information section