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Référence fabricant
NDT452AP
P-Channel 30 V 0.065 Ohm SMT Enhancement Mode Field Effect Transistor SOT-223
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :4000 par Reel Style d'emballage :SOT-223 (TO-261-4, SC-73) Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
onsemi NDT452AP - Spécifications du produit
Informations de livraison:
ECCN:
Informations PCN:
Statut du produit:
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=NDT452AP&field4=onsemi&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/it/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/ndt452ap-onsemi-7682735
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onsemi NDT452AP - Caractéristiques techniques
| Fet Type: | P-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 30V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 0.065Ω |
| Rated Power Dissipation: | 1.1|W |
| Qg Gate Charge: | 30nC |
| Style d'emballage : | SOT-223 (TO-261-4, SC-73) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Fonctionnalités et applications
The NDT452AP Part Number is a Power SOT P-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance and provide superior switching performance.
These devices are particularly suited for low voltage applications such as notebook computer power management and DC motor control.
Features:
- -5 A, -30 V
- RDS(ON) = 0.065 O @ VGS = -10 V
- RDS(ON) = 0.1 O @ VGS = -4.5 V
- High density cell design for extremely low RDS(ON)
- High power and current handling capability in a widely used surface mount package.
Applications:
- Automation
- Broadband Access
- Broadband Modem
- Broadcast & Studio
- Building & Home Control
- Camcorder
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
4000 par Reel
Style d'emballage :
SOT-223 (TO-261-4, SC-73)
Méthode de montage :
Surface Mount