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Référence fabricant
A3I25D080GNR1
Airfast RF LDMOS Integrated Power Amplifier, 2300-2690 MHz, 8.3 W Avg., 28 V
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| Nom du fabricant: | NXP | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :500 par Reel Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
NXP A3I25D080GNR1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=A3I25D080GNR1&field4=NXP&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/it/p/semiconductors--wireless-rf--rf-amplifiers--power-amplifiers/a3i25d080gnr1-nxp-6187096
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NXP A3I25D080GNR1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Frequency Range: | 2300MHz to 2690MHz |
| Supply Voltage: | 20V to 32V |
| Gain: | 29.2dB |
| Operating Temp Range: | -40°C to +150°C |
| Storage Temperature Range: | -65°C to +150°C |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
10 Semaines
Quantité
Prix unitaire
500+
$35.51
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
500 par Reel
Méthode de montage :
Surface Mount