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Référence fabricant
IMZ120R030M1HXKSA1
IMZ Series 1200 V 30 mOhm 63 nC Through Hole Silicon Carbide Mosfet - TO-247-4
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :30 par Tube Style d'emballage :TO-247-4 Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Infineon IMZ120R030M1HXKSA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
Fichier
Date
Material Supplier Change
05/13/2025 Détails et téléchargement
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IMZ120R030M1HXKSA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/7116344
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Infineon IMZ120R030M1HXKSA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 1200V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 42mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 227W |
| Qg Gate Charge: | 63nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 18V |
| Drain Current: | 56A |
| Turn-on Delay Time: | 7.7ns |
| Turn-off Delay Time: | 17.3ns |
| Rise Time: | 11.6ns |
| Fall Time: | 11.5ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| Gate Source Threshold: | 4.5V |
| Technology: | SiC |
| Input Capacitance: | 2120pF |
| Series: | IMZ120 |
| Style d'emballage : | TO-247-4 |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
14 Semaines
Quantité
Prix unitaire
30
$10.19
60
$10.14
120
$10.08
150
$10.07
450+
$9.96
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
30 par Tube
Style d'emballage :
TO-247-4
Méthode de montage :
Through Hole