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Référence fabricant
BSZ011NE2LS5IATMA1
25V, 202A, 1.1MOHM, N-CHANNEL, PQFN 3x3
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :5000 par Reel Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2501 | ||||||||||
Product Specification Section
Infineon BSZ011NE2LS5IATMA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
Fichier
Date
Location Change
03/13/2025 Détails et téléchargement
Location Change
12/31/2024 Détails et téléchargement
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=BSZ011NE2LS5IATMA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/bsz011ne2ls5iatma1-infineon-6170915
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Infineon BSZ011NE2LS5IATMA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Product Status: | Active |
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 25V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 1.1mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 2.1W |
| Qg Gate Charge: | 50nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 16V |
| Drain Current: | 35A |
| Turn-on Delay Time: | 5ns |
| Turn-off Delay Time: | 26ns |
| Rise Time: | 4ns |
| Fall Time: | 3ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 2V |
| Input Capacitance: | 3400pF |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
5 000
États-Unis:
5 000
Sur commande :
0
Délai d'usine :
N/A
Quantité
Prix unitaire
5 000+
$0.945
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
5000 par Reel
Méthode de montage :
Surface Mount