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Référence fabricant
IQD005N04NM6SCATMA1
N-Channel 40 V 597 A 3 W 0.49 mOhm Surface Mount Mosfet - PG-WHSON-8-U02
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :5000 par Style d'emballage :PG‑WHSON‑8 Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2441 | ||||||||||
Product Specification Section
Infineon IQD005N04NM6SCATMA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IQD005N04NM6SCATMA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/iqd005n04nm6scatma1-infineon-9196404
Infineon IQD005N04NM6SCATMA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 40V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 0.49mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 333W |
| Qg Gate Charge: | 130nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | ±20V |
| Drain Current: | 597A |
| Turn-on Delay Time: | 15ns |
| Turn-off Delay Time: | 42ns |
| Rise Time: | 6ns |
| Fall Time: | 9ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| Gate Source Threshold: | 2.8V |
| Technology: | Si |
| Style d'emballage : | PG‑WHSON‑8 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
200
États-Unis:
200
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
5000 par
Style d'emballage :
PG‑WHSON‑8
Méthode de montage :
Surface Mount