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Référence fabricant
IRFP7530PBF
Single N-Channel 60 V 2 mOhm 274 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-247-3
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :25 par Tube Style d'emballage :TO-247-3 Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | 2303 | ||||||||||
Infineon IRFP7530PBF - Spécifications du produit
Informations de livraison:
ECCN:
Informations PCN:
Detailed change information:Subject Phase out of Kyocera KEG300 mold compound for several assembly locations and change of lead finish from tin dip to electroplating at Tijuana, Mexico for dedicated TO220-3 & TO247-3 products.Reason:To ensure continuity of mold compound supply due to Kyocera KEG300 end of life and to further ensure our product performance with lead-free electroplating finish
Statut du produit:
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IRFP7530PBF&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/irfp7530pbf-infineon-2043949
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IRFP7530PBF&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/irfp7530pbf-infineon-2043949
Infineon IRFP7530PBF - Caractéristiques techniques
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 60V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 2mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 341|W |
| Qg Gate Charge: | 274nC |
| Style d'emballage : | TO-247-3 |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
25 par Tube
Style d'emballage :
TO-247-3
Méthode de montage :
Through Hole