text.skipToContent text.skipToNavigation

Référence fabricant

STB120NF10T4

N-Channel 100 V 0.0105 Ohm Surface Mount STripFET™ II MosFet - D2PAK

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: STMicroelectronics
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 2513
Product Specification Section
STMicroelectronics STB120NF10T4 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 100V
Drain-Source On Resistance-Max: 10.5mΩ
Rated Power Dissipation: 312W
Qg Gate Charge: 172nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 20V
Drain Current: 110A
Turn-on Delay Time: 25ns
Turn-off Delay Time: 132ns
Rise Time: 90ns
Fall Time: 68ns
Operating Temp Range: -55°C to +175°C
Gate Source Threshold: 4V
Input Capacitance: 5200pF
Style d'emballage :  TO-263-3 (D2PAK)
Méthode de montage : Surface Mount
Fonctionnalités et applications

The STB120NF10T4 is a  Power MOSFET series realized with STMicroelectronics unique STripFET™ process has specifically been designed to minimize the on-resistance.

It is therefore suitable as primary switch in advanced high-efficiency,high-frequency isolated DC-DC converters for Telecom and Computer application. It is also intended for any applications with low gate drive requirements.

Features:

  • Exceptional dv/dt capability
  • 100% avalanche tested
  • Application oriented characterization

Applications:

  • Switching application
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :Order inventroy details
3 000
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
13 Semaines
Commande minimale :
1000
Multiples de :
1000
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
1 250,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
1 000
$1.25
2 000
$1.24
3 000
$1.23
5 000+
$1.22
Product Variant Information section