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Référence fabricant
STL11N3LLH6
N-Channel 30 V 7.5 mOhm STripFET™ VI DeepGATE™ Power Mosfet
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| Nom du fabricant: | STMicroelectronics | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :3000 par Reel Style d'emballage :POWER FLAT Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
STMicroelectronics STL11N3LLH6 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=STL11N3LLH6&field4=STMicroelectronics&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/stl11n3llh6-stmicroelectronics-9021377
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STMicroelectronics STL11N3LLH6 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 30V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 7.5mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 45W |
| Qg Gate Charge: | 17nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 11A |
| Turn-on Delay Time: | 9.5ns |
| Turn-off Delay Time: | 37ns |
| Rise Time: | 30ns |
| Fall Time: | 12ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 1V |
| Input Capacitance: | 1690pF |
| Style d'emballage : | POWER FLAT |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
26 Semaines
Quantité
Prix unitaire
3 000
$0.445
6 000
$0.44
12 000
$0.435
15 000+
$0.43
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
3000 par Reel
Style d'emballage :
POWER FLAT
Méthode de montage :
Surface Mount