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Référence fabricant
TQM025NB04CR RLG
N-Channel 40 V 157 A 136 W Surface Mount Power MOSFET - PDFN56-8
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| Nom du fabricant: | Taiwan Semiconductor | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :2500 par Reel Style d'emballage :PDFN56U Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2420 | ||||||||||
Product Specification Section
Taiwan Semiconductor TQM025NB04CR RLG - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=TQM025NB04CR RLG&field4=Taiwan Semiconductor&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/tqm025nb04cr-rlg-taiwan-semiconductor-1185215
Taiwan Semiconductor TQM025NB04CR RLG - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Product Status: | Active |
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 40V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 2.5mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 3.1W |
| Qg Gate Charge: | 118nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 24A |
| Turn-on Delay Time: | 11ns |
| Turn-off Delay Time: | 76ns |
| Rise Time: | 34ns |
| Fall Time: | 39ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| Gate Source Threshold: | 2.5V |
| Technology: | TrenchMOS |
| Input Capacitance: | 6676pF |
| Style d'emballage : | PDFN56U |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
5 000
États-Unis:
5 000
Sur commande :
0
Délai d'usine :
16 Semaines
Quantité
Prix unitaire
2 500
$1.08
7 500+
$1.07
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
2500 par Reel
Style d'emballage :
PDFN56U
Méthode de montage :
Surface Mount