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Référence fabricant
ZVN3310ASTZ
N-Channel 100 V 10 Ohm Enhancement Mode Vertical DMOS FET - TO-92
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| Nom du fabricant: | Diodes Incorporated | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :2000 par Ammo Pack Style d'emballage :TO-92 Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Diodes Incorporated ZVN3310ASTZ - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=ZVN3310ASTZ&field4=Diodes Incorporated&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/zvn3310astz-diodes-incorporated-2721694
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Diodes Incorporated ZVN3310ASTZ - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 100V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 10Ω |
| Rated Power Dissipation: | 625|mW |
| Style d'emballage : | TO-92 |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
12 Semaines
Quantité
Prix unitaire
2 000
$0.30
4 000+
$0.295
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
2000 par Ammo Pack
Style d'emballage :
TO-92
Méthode de montage :
Through Hole