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Infineon IMCQ120R010M2H MOSFET CoolSiC™
Le 1200 V SiC refroidi par le dessus atteint de nouveaux niveaux de performance
La famille CoolSiC Génération 2 de MOSFET en carbure de silicium d’Infineon offre une performance thermique, une fiabilité et une efficacité énergétique exceptionnelles. Logé dans un boîtier Q-DPAK refroidi sur le dessus avec .XT, ces MOSFETs de 1200 V, 10 mΩ surpassent les générations précédentes tant en durabilité qu’en performance de commutation.
La solution Q-DPAK simplifie l’assemblage, réduit les coûts du système et permet une plus grande flexibilité de conception, ce qui la rend idéale pour un large éventail d’applications industrielles.
Caractéristiques
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