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Référence fabricant
2SA1416S-TD-E
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 1A 100V
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :1000 par Reel Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
onsemi 2SA1416S-TD-E - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=2SA1416S-TD-E&field4=onsemi&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/de/p/semiconductors--discretes--transistors--bipolar-transistors/2sa1416s-td-e-onsemi-3104583
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=2SA1416S-TD-E&field4=onsemi&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/de/p/semiconductors--discretes--transistors--bipolar-transistors/2sa1416s-td-e-onsemi-3104583
onsemi 2SA1416S-TD-E - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Product Status: | Active |
| Polarity: | PNP |
| CE Voltage-Max: | -100V |
| Collector Current Max: | -1A |
| Power Dissipation-Tot: | 500mW |
| Collector - Base Voltage: | 120V |
| Collector - Emitter Saturation Voltage: | -0.6V |
| Emitter - Base Voltage: | -6V |
| DC Current Gain-Min: | 100 |
| Collector - Current Cutoff: | -100nA |
| Configuration: | Single |
| Frequency - Transition: | 120MHz |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Rise Time: | 80ns |
| Fall Time: | 40s |
| Input Capacitance: | 8.5pF |
| Moisture Sensitivity Level: | 1 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
52+Semaines
Quantité
Prix unitaire
1 000
$0.159
2 000
$0.157
3 000
$0.156
5 000
$0.155
10 000+
$0.151
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
1000 par Reel
Méthode de montage :
Surface Mount