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Référence fabricant
FF200R12KE3HOSA1
MEDIUM POWER 62MM
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :10 par Tray Style d'emballage :Module Méthode de montage :Chassis Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2438 | ||||||||||
Product Specification Section
Infineon FF200R12KE3HOSA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
Fichier
Date
Process Change
07/18/2025 Détails et téléchargement
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=FF200R12KE3HOSA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/de/p/semiconductors--discretes--transistors--igbts/ff200r12ke3hosa1-infineon-1178871
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- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=FF200R12KE3HOSA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/de/p/semiconductors--discretes--transistors--igbts/ff200r12ke3hosa1-infineon-1178871
Infineon FF200R12KE3HOSA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| CE Voltage-Max: | 1200V |
| Collector Current @ 25C: | 295A |
| Power Dissipation-Tot: | 1050W |
| Gate - Emitter Voltage: | ±20V |
| Collector - Emitter Saturation Voltage: | 1.7V |
| Turn-on Delay Time: | 0.25µs |
| Turn-off Delay Time: | 0.55µs |
| Qg Gate Charge: | 1900nC |
| Leakage Current: | 400nA |
| Input Capacitance: | 14nF |
| Operating Temp Range: | -40°C to +125°C |
| Style d'emballage : | Module |
| Méthode de montage : | Chassis Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Délai d'usine :
12 Semaines
Quantité
Prix unitaire
10
$118.49
20
$117.62
30
$117.12
40
$116.76
50+
$115.63
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
10 par Tray
Style d'emballage :
Module
Méthode de montage :
Chassis Mount