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Référence fabricant
IGP30N65H5XKSA1
IGP30N65H5 Series 650 V 55 A Through Hole IGBT TrenchStop™ - PG-TO-220-3
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :50 par Tube Style d'emballage :TO-220-3 (TO-220AB) Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | 2244 | ||||||||||
Product Specification Section
Infineon IGP30N65H5XKSA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
Fichier
Date
Discontinuation
09/16/2025 Détails et téléchargement
Statut du produit:
Obsolète
Obsolète
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IGP30N65H5XKSA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/de/p/semiconductors--discretes--transistors--igbts/igp30n65h5xksa1-infineon-2114084
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Infineon IGP30N65H5XKSA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| CE Voltage-Max: | 650V |
| Collector Current @ 25C: | 55A |
| Power Dissipation-Tot: | 188W |
| Gate - Emitter Voltage: | 20V |
| Pulsed Collector Current: | 90A |
| Collector - Emitter Saturation Voltage: | 1.65V |
| Turn-on Delay Time: | 19ns |
| Turn-off Delay Time: | 177ns |
| Qg Gate Charge: | 70nC |
| Leakage Current: | 100nA |
| Input Capacitance: | 1800pF |
| Operating Temp Range: | -40°C to +175°C |
| No of Terminals: | 3 |
| Style d'emballage : | TO-220-3 (TO-220AB) |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
19 Semaines
Quantité
Prix unitaire
50
$1.17
200
$1.15
750
$1.13
2 000
$1.12
5 000+
$1.10
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
50 par Tube
Style d'emballage :
TO-220-3 (TO-220AB)
Méthode de montage :
Through Hole