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Référence fabricant

BSC027N04LSGATMA1

Single N-Channel 40 V 2.7 mOhm 64 nC OptiMOS™ Power Mosfet - TDSON-8

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Infineon
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
Infineon BSC027N04LSGATMA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 40V
Drain-Source On Resistance-Max: 2.7mΩ
Rated Power Dissipation: 2.5W
Qg Gate Charge: 64nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 20V
Drain Current: 24A
Turn-on Delay Time: 9.8ns
Turn-off Delay Time: 39ns
Rise Time: 5.6ns
Fall Time: 6.2ns
Operating Temp Range: -55°C to +150°C
Gate Source Threshold: 2V
Technology: OptiMOS
Input Capacitance: 5100pF
Style d'emballage :  TDSON-8
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
26 Semaines
Commande minimale :
5000
Multiples de :
5000
Total 
1 500,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
5 000
$0.30
10 000
$0.295
20 000
$0.29
25 000+
$0.285
Product Variant Information section