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Référence fabricant
BSZ146N10LS5ATMA1
Single N-Channel 100 V 14.6 mOhm 40 A OptiMOS™ Power Mosfet - PG-TSDSON-8 FL
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :5000 par Reel Style d'emballage :TSDSON-8 Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Infineon BSZ146N10LS5ATMA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
ECCN:
Informations PCN:
Detailed change informationSubject Extension of shelf lifetime from 3 to 5 years for products in SMD (Surface Mount Devices) and Leadless packagesReason Extension of shelf lifetime and product availabilityDescription Maximum storage timeOld - 3 years New- 5 yearsIntended start of delivery Immediately
Statut du produit:
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=BSZ146N10LS5ATMA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/de/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/bsz146n10ls5atma1-infineon-2173851
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Infineon BSZ146N10LS5ATMA1 - Caractéristiques techniques
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 100V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 14.6mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 2.1W |
| Qg Gate Charge: | 7.6nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 40A |
| Turn-on Delay Time: | 4.7ns |
| Turn-off Delay Time: | 14.3ns |
| Rise Time: | 3.2ns |
| Fall Time: | 3.2ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 1.7V |
| Technology: | OptiMOS |
| Input Capacitance: | 1000pF |
| Style d'emballage : | TSDSON-8 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
5000 par Reel
Style d'emballage :
TSDSON-8
Méthode de montage :
Surface Mount