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Référence fabricant
DMN6069SE-13
N-Channel 60 V 4.3 A 2.2 W Enhancement Mode Surface Mount Mosfet - SOT-223
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| Nom du fabricant: | Diodes Incorporated | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :2500 par Reel Style d'emballage :SOT-223 (TO-261-4) Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2521 | ||||||||||
Product Specification Section
Diodes Incorporated DMN6069SE-13 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=DMN6069SE-13&field4=Diodes Incorporated&field18=https://p1na.futureelectronics.com/de/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/dmn6069se-13-diodes-incorporated-9098390
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Diodes Incorporated DMN6069SE-13 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 60V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 69mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 2.2W |
| Qg Gate Charge: | 16nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 4.3A |
| Turn-on Delay Time: | 3.8ns |
| Turn-off Delay Time: | 16ns |
| Rise Time: | 6.7ns |
| Fall Time: | 5.3ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 3V |
| Input Capacitance: | 825pF |
| Style d'emballage : | SOT-223 (TO-261-4) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
47 500
États-Unis:
47 500
Délai d'usine :
24 Semaines
Quantité
Prix unitaire
2 500
$0.181
7 500
$0.178
10 000
$0.177
25 000
$0.174
37 500+
$0.172
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
2500 par Reel
Style d'emballage :
SOT-223 (TO-261-4)
Méthode de montage :
Surface Mount