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Référence fabricant
IPA60R170CFD7XKSA1
N-Channel 600 V 8 A 26 W Through Hole CoolMOS™ MOSFET - PG-TO-220FP
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :50 par Tube Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | 2333 | ||||||||||
Product Specification Section
Infineon IPA60R170CFD7XKSA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IPA60R170CFD7XKSA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/de/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/ipa60r170cfd7xksa1-infineon-9182118
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Infineon IPA60R170CFD7XKSA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Product Status: | Active |
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 650V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 170mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 26W |
| Qg Gate Charge: | 28nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 8A |
| Turn-on Delay Time: | 31ns |
| Turn-off Delay Time: | 68ns |
| Rise Time: | 15ns |
| Fall Time: | 9ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 4.5V |
| Input Capacitance: | 1199pF |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
22 Semaines
Quantité
Prix unitaire
50
$1.19
200
$1.17
750
$1.15
2 000
$1.14
5 000+
$1.12
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
50 par Tube
Méthode de montage :
Through Hole