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Référence fabricant
IPD096N08N3GATMA1
IPD096N08N3G Series 80 V 73 A 9.6 mOhm 100 W 26 nC N-Channel MOSFET - TO-252
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :2500 par Reel Style d'emballage :TO-252-3 (DPAK) Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2530 | ||||||||||
Infineon IPD096N08N3GATMA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
ECCN:
Informations PCN:
Detailed change informationSubject Extension of shelf lifetime from 3 to 5 years for products in SMD (Surface Mount Devices) and Leadless packagesReason Extension of shelf lifetime and product availabilityDescription Maximum storage timeOld - 3 years New- 5 yearsIntended start of delivery Immediately
Statut du produit:
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IPD096N08N3GATMA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/de/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/ipd096n08n3gatma1-infineon-7174106
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Infineon IPD096N08N3GATMA1 - Caractéristiques techniques
| Product Status: | Active |
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 80V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 9.6mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 100W |
| Qg Gate Charge: | 26nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 73A |
| Turn-on Delay Time: | 13ns |
| Turn-off Delay Time: | 23ns |
| Rise Time: | 30ns |
| Fall Time: | 5ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| Gate Source Threshold: | 2.8V |
| Technology: | OptiMOS |
| Input Capacitance: | 1810pF |
| Series: | OptiMOS 3 |
| Style d'emballage : | TO-252-3 (DPAK) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
2500 par Reel
Style d'emballage :
TO-252-3 (DPAK)
Méthode de montage :
Surface Mount