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Référence fabricant
IPP076N15N5AKSA1
Trans MOSFET N 150V 112A 3-Pin 0.0076 OHM PG-TO220-3
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :50 par Tube Style d'emballage :TO-220-3 (TO-220AB) Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Infineon IPP076N15N5AKSA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IPP076N15N5AKSA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/de/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/ipp076n15n5aksa1-infineon-3099626
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Infineon IPP076N15N5AKSA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Product Status: | Active |
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 150V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 7.6mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 214W |
| Qg Gate Charge: | 49nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 112A |
| Turn-on Delay Time: | 14ns |
| Turn-off Delay Time: | 20ns |
| Rise Time: | 4ns |
| Fall Time: | 4ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| Gate Source Threshold: | 3.8V |
| Technology: | OptiMOS |
| Input Capacitance: | 3600pF |
| Series: | OptiMOS 5 |
| Style d'emballage : | TO-220-3 (TO-220AB) |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
9 Semaines
Quantité
Prix unitaire
500
$1.35
1 500
$1.34
2 500
$1.33
5 000+
$1.32
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
50 par Tube
Style d'emballage :
TO-220-3 (TO-220AB)
Méthode de montage :
Through Hole