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Référence fabricant

IRFB7440PBF

Single N-Channel 40 V 2.5 mOhm 90 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Infineon
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
Infineon IRFB7440PBF - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 40V
Drain-Source On Resistance-Max: 2.5mΩ
Rated Power Dissipation: 143|W
Qg Gate Charge: 90nC
Style d'emballage :  TO-220-3 (TO-220AB)
Méthode de montage : Flange Mount
Fonctionnalités et applications

The IRFB7440PBF is a single N-channel HEX-Power MOSFET.

Benefits:

  • Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness
  • Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA
  • Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability
  • Lead-Free

Applications:

  • Brushed Motor drive applications
  • BLDC Motor drive applications
  • Battery powered circuits
  • Half-bridge and full-bridge topologies
  • Synchronous rectifier applications
  • Resonant mode power supplies
  • OR-ing and redundant power switches
  • DC/DC and AC/DC converters
  • DC/AC Inverters

 

Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
10 Semaines
Commande minimale :
1000
Multiples de :
50
Total 
575,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
50
$0.61
250
$0.59
1 000
$0.575
2 500
$0.565
6 250+
$0.545
Product Variant Information section